用(yong)于(yu)現代化電子設備的單片技術(shu)同(tong)樣可以(yi)用(yong)于(yu)制作壓力傳(chuan)感(gan)器(qi)，采用(yong)單片技術(shu)制作的傳(chuan)感(gan)器(qi)具有(you)很(hen)小的滯(zhi)后性和很(hen)低的老化速(su)度(du)。2810氣壓傳(chuan)感(gan)器(qi)性能優越，它實(shi)際上沒有(you)滯(zhi)后現象(xiang)、沒有(you)溫度(du)漂移(yi)和老化現象(xiang)。它對機械加速(su)也不敏感(gan)，可以(yi)從任何(he)位置(zhi)操作，另外探頭是防水的。
在測(ce)量之前，探頭的(de)小(xiao)傳感元件(jian)可被加(jia)熱到(dao)特定(ding)溫度(du)，以減小(xiao)環境溫度(du)變化造成的(de)誤差。2810氣(qi)(qi)(qi)壓(ya)傳感器(qi)采用(yong)4×4mm的(de)小(xiao)型硅芯片(pian)作為(wei)傳感元件(jian)，在硅片(pian)的(de)中(zhong)央是(shi)一(yi)層薄膜，它一(yi)面(mian)暴露于(yu)大氣(qi)(qi)(qi)壓(ya)中(zhong)，另一(yi)面(mian)是(shi)真空。薄膜有(you)4個擴(kuo)散電阻組(zu)成的(de)惠特斯通電橋(qiao)，輸出信號(hao)與大氣(qi)(qi)(qi)壓(ya)成正比(bi)，因此用(yong)該芯片(pian)直接測(ce)量大氣(qi)(qi)(qi)壓(ya)。
芯片(pian)上(shang)還(huan)有(you)一個(ge)溫(wen)度(du)傳感電(dian)阻(zu)和4個(ge)加熱電(dian)阻(zu)，這些電(dian)阻(zu)與外部控(kong)制電(dian)路相連(lian)接，以控(kong)制芯片(pian)在(zai)測量之前被加熱并恒溫(wen)在(zai)47°C，這樣的(de)好處是允許探(tan)頭有(you)足夠的(de)時(shi)間進行(xing)溫(wen)度(du)穩定(ding)。
將硅芯片(pian)加(jia)熱到47°C的(de)耗(hao)電情(qing)況與環(huan)境溫度(du)相關，環(huan)境溫度(du)為(wei)60°C時電耗(hao)為(wei)零，環(huan)境溫度(du)降低，電耗(hao)會(hui)線性增大；環(huan)境溫度(du)為(wei)-40°C時電耗(hao)約為(wei)70毫安。讀數(shu)時探頭停止加(jia)熱。
注：探頭射頻敏感(gan)( 頻率范圍 ≤ 500MHz, 磁場強度 ≥ 3V/m )
標準的(de)量(liang)程范圍可用于(yu)高(gao)度小(xiao)于(yu)或(huo)等于(yu)海(hai)拔400m的(de)區(qu)域，如(ru)果需(xu)要安裝(zhuang)到(dao)更高(gao)的(de)地方(fang)，在發(fa)貨(huo)之前需(xu)要提(ti)前告(gao)知廠家安裝(zhuang)地點高(gao)度。氣(qi)壓測量(liang)值與海(hai)拔高(gao)度之間的(de)關系(xi)因子見下表(biao).
